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場發(fā)射透射電子顯微鏡(Talos F200X G2)-東氿校區(qū)

發(fā)布日期:2024-03-04來源:分析測試中心 文:賀瓶 審核:張爽

場發(fā)射透射電子顯微鏡(Talos F200X G2)

性能指標

加速電壓:200 kV;電子槍:肖特基型熱場發(fā)射電子槍;TEM點分辨率:0.23 nm;TEM信息分辨率:0.12 nm;STEM分辨率:0.16 nm;極靴間距:5.4 mm;STEM模式放大倍數(shù):310x~150Mx;能譜分辨率:優(yōu)于136 eV;EDS固定角:0.9 srad;三維重構(gòu)樣品桿最大傾角:70°。

主要應用

可提供各種材料的形貌、基本結(jié)構(gòu)與成份信息:快速采集形貌圖像(高分辨);選區(qū)電子衍射與晶體結(jié)構(gòu)分析;TEM及STEM模式可實現(xiàn)快速切換;配合能譜儀可以對樣品元素做點、線、面分布分析,以及各種元素進行定性和半定量微區(qū)分析,元素檢測范圍:B~U元素;利用三維樣品桿可以實現(xiàn)TEM、STEM和EDS三維重構(gòu)。

樣品要求

透射電鏡不做磁性樣品,不含F(xiàn)e、Co、Ni、Mn及Gd、Tb、Dy、Ho、Er等稀土元素;對于粉末樣品,要求樣品均勻分散在支持膜上并且干燥,能夠區(qū)分支持膜正反面;對于塊體樣品,要求樣品大小為直徑3 mm的圓,厚度為200 nm以下;高分辨樣品厚度在10 nm以下。

儀器說明

該儀器廣泛應用于化學、材料、食品、生物、物理、醫(yī)學等學科的分析研究。